Главная » Новости » В России в НИТУ «МИСиС» создали новый тип силовых диодов, превосходящих импортные аналоги

В России в НИТУ «МИСиС» создали новый тип силовых диодов, превосходящих импортные аналоги

10 сентября 2017

118
  • Образцы силовых диодов
  • Образцы силовых диодов

Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» разработал новоиспеченный тип силовых диодов с оптимизированной кремниевой структурой. Получены экспериментальные образцы с характеристиками превышающими импортные аналоги. Разработана технология промышленного получения новых полупроводников, которая может быть применена при производстве кремниевых биполярных приборов и интегральных схем. Внедрение технологии в полупроводниковое производство позволит существенно повысить качество целого сегмента отечественной электронной компонентной базы, что будет содействовать дальнейшему движению к технологической независимости по программе замещения импорта.

О чем выговор

Группа ученых под руководством доцента кафедры «Полупроводниковая электроника и физика полупроводников» НИТУ «МИСиС» к.т.н Петра Лагова разработала новоиспеченный тип силовых диодов с оптимизированной кремниевой структурой. Применение инновационных диодов в составе ручной или роботизированной сварочной машины резко повышает энергоэффективность процесса и качество сварного соединения за счет двухкратного увеличения рабочей частоты до 20 кГц.

Подробнее о разработке

Роботизированная контактная сварка широко применяется в машиностроении, судостроительной, авиационной промышленности, при производстве бытовых изделий — это основной способ соединения многочисленных деталей путем нагрева и деформации металла проходящим чрез него электрическим током без использования присадочных материалов. Таким способом можно основывать до нескольких десятков соединений за 1 минуту.

Частота импульсов тока является важнейшей характеристикой процесса контактной сварки и непосредственно определяет его скорость, производительность, а также качество получаемого сварного соединения и его прочность. Исследовательский коллектив НИТУ «МИСиС» разработал технологию получения наноразмерных центров рекомбинации (атомных «вакансий») в структуре диодного монокристалла. Они формируются посредством контролируемого смещения (выбивания) атомов из узлов кристаллической решетки в определенных слоях кремниевой пластины сварочного диода — важнейшего функционального элемента оборудования контактной сварки.

  • Ускорительная установка для ионов высоких энергий
  • Ускорительная установка для ионов высоких энергий

Атомные «вакансии», проще говоря, микро-дырки в слоях структуры кремния, получаются путем бомбардировки готового монокристалла легкими ионами высоких энергий на ускорителе. В результате на определенных глубинах тонких (1-2 мкм) слоев формируются структурные дефекты атомарного уровня размером возле 1 нм. В процессе контактной сварки при многократной периодической смене полярности тока, эти атомные «вакансии» вмиг захватывают поток текущих электронов, приводя к их аннигиляции (исчезновению) и подавлению нежелательного остаточного тока. Соответственно, резко уменьшается пора на смену полярности тока и увеличивается частота переменного тока.

Технология создания атомных «вакансий» позволяет повысить максимальную рабочую частоту диода диаметром 50 мм с 10 до 20 кГц при сохранении прочих характеристик. На сегодняшний день сварочный диод с таким сочетанием параметров превосходит известные мировые аналоги и позволяет удвоить число сварных операций в единицу времени, а значит, и повысить скорость сборки механизмов.

В результате возрастает максимальная рабочая частота диода, уменьшаются паразитные потери электрической мощности, разогрев и циклические колебания температуры диода, приводящие впоследствии к его износу, механическому повреждению и потере работоспособности. При прочих равных условиях подобный диод может обеспечить более рослый рабочий ток сварки и точность его удержания, а также сжать интервал времени между отдельными рабочими циклами, в течение которых происходит остывание («отдых») диода. Становится возможной сварка металлов и сплавов, которые не свариваются при меньшей частоте. Кроме того, подобный диод более устойчив к разного рода электрическим перегрузкам, что предотвращает выход из строя узла и остановку всей конвейерной сборочной линии.

  • Одна из областей применения силовых диодов
  • Одна из областей применения силовых диодов

Повышение рабочей частоты также позволяет убавить размер и массу трансформаторно-выпрямительного блока сварочного аппарата, какой закрепляется на роботизированной «руке», и практически до нуля снижает помехи в энергетической сети, что способствует повышению энергоэффективности автоматизированного производства в целом.

  • Лазерная сварка
  • Лазерная сварка

«Мы не только разработали технологию создания рекомбинационных центров в структуре силового сварочного диода, но и получили готовые к применению экспериментальные образцы инновационных диодов, обладающих конкурентными преимуществами — максимальной рабочей частотой не менее 20 кГц (вдвое превышает лучшие зарубежные образцы) при токе 7 кА. Кроме того, в ходе серии проведенных инициативных работ с рядом отечественных предприятий нами установлено, что технология локального формирования центров рекомбинации может быть успешно применена при производстве кремниевых биполярных приборов и интегральных схем различных классов. Масштабное внедрение данной технологии в полупроводниковое производство позволит существенно повысить качество целого сегмента отечественной электронной компонентной базы, что способствует обеспечению технологической независимости в условиях импортозамещения» — рассказал глава проекта Петр Лагов.

Поделиться:

Новости России
Luchatta.ru

Рекомендуем почитать :  В России бюджетное планирование на грани диверсии

Оставить комментарий

Your email address will not be published. Required fields are marked *

*